Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Реферативна база даних (8) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Слободян І$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9 |
|||
| 1. | 
Кичак В. М. Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, І. В. Слободян // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2013. - № 5. - С. 115-117. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vvpi_2013_5_24 Розглянуто питання обчислення та якісного оцінювання часу затримки перемикання комірки пам'яті на базі аморфного напівпровідника від температури та концентрації пасток захоплення. На основі одержаних формул побудовано та проаналізовано графіки залежності часу затримки від температури для різних значень іонізаційного бар'єру та графіки залежності часу затримки від концентрації пасток захоплення для різних значень рухливості дірок. | ||
| 2. | 
Слободян І. В. Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі ХСН [Електронний ресурс] / І. В. Слободян. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2014. - Вип. 3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNTUV_2014_3_12 | ||
| 3. | 
Ковальчук С. В. Кулхантинг: маркетингові дослідження нових трендів [Електронний ресурс] / С. В. Ковальчук, І. А. Слободян // Маркетинг в Україні. - 2010. - № 1. - С. 57-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Mvu_2010_1_15 | ||
| 4. | 
Слободян І. В. Пристрій для читання-запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника [Електронний ресурс] / І. В. Слободян // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. - 2015. - № 4. - С. 153-156. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchnu_tekh_2015_4_33 | ||
| 5. | 
Слободян О. М. Хірургічна анатомія сосочкового сегмента дванадцятипалої кишки [Електронний ресурс] / О. М. Слободян, Ю. Т. Ахтемійчук, Д. Г. Манчуленко, І. В. Слободян // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія : Медицина. - 2008. - Вип. 33. - С. 210-215. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UNUMED_2008_33_55 | ||
| 6. | 
Слободян І. Ю. Роль профспілки як суб’єкта колективних трудових правовідносин [Електронний ресурс] / І. Ю. Слободян // Науково-інформаційний вісник Івано-Франківського університету права імені Короля Данила Галицького. Серія : Право. - 2017. - № 4. - С. 130-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nivif_2017_4_23 | ||
| 7. |
Кичак В. М. Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам’ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2019. - № 4. - С. 116-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vvpi_2019_4_24 Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості запам'ятовувальних пристроїв, які є одним з основних елементів для побудови систем оброблення інформації. Запропоновано структуру радіаційно стійкої комірки пам'яті, в якій як перемикальний елемент використовується плівка халькогенідного склоподібного напівпровідника, а як елемент розв'язки використано уніполярний транзистор. Перемикальний елемент є стійким до дії радіації, а радіаційна стійкість уніполярного транзистора на декілька порядків нижча. Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості уніполярних транзисторів. Для усунення зміни параметрів уніполярних транзисторів під дією іонізуючих опромінень на процеси, що відбуваються в підзаслінному шарі діелектрика та на межі розподілу кремнію і діоксиду кремнію, що сприяє накопиченню позитивного заряду, запропоновано в процесі виготовлення такого транзистора перед високотемпературним формуванням підзаслінного шару діелектрика у підзаслінну зону напівпровідникової підкладки проводити іонну імплантацію флуору, який дифундує в цей шар. Окрім того, як підзаслінний шар діелектрика використовується не діоксид кремнію, а нітрид кремнію - Si | ||
| 8. | 
Барна О. М. Ефективність спіраміцину у пацієнтів з гострим бронхітом залежно від віку і його вплив на метаболізм [Електронний ресурс] / О. М. Барна, Я. В. Корост, В. О. Малєєва, І. В. Слободян, М. О. Одинець // Ліки України. - 2018. - № 8. - С. 58-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/likukr_2018_8_9 | ||
| 9. | 
Слободян І. А. Організаційно-правове забезпечення функціонування системи управління у сфері безпеки та охорони державного кордону [Електронний ресурс] / І. А. Слободян // Інвестиції: практика та досвід. - 2022. - № 11-12. - С. 122-126. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |